Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile
  German  ▼
ALLDATASHEETDE.COM

X  



TRENCH Datenblatt, PDF

Gesuchtes Schlüsselwort : 'TRENCH' - Total: 8523 (8/427) Pages
HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
Company Logo Img
Taiwan Semiconductor Co...
TSD20H100CW Datasheet pdf image
255Kb/5P
Trench Schottky Rectifier
TSF30H60C Datasheet pdf image
244Kb/4P
Trench Schottky Rectifier
TSP8A100S Datasheet pdf image
228Kb/4P
Trench Schottky Rectifier
Company Logo Img
Semikron International
SKM200GAL176D Datasheet pdf image
710Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKM600GAL126D Datasheet pdf image
434Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM145GAL176D Datasheet pdf image
971Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKM200GB126D Datasheet pdf image
426Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM300GARL066T Datasheet pdf image
440Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM400GB07E3 Datasheet pdf image
316Kb/6P
Trench IGBT Modules
Company Logo Img
ZP Semiconductor
NTR4101P Datasheet pdf image
232Kb/2P
Trench Power MOSFET
Company Logo Img
ON Semiconductor
NTJS3151P Datasheet pdf image
73Kb/5P
Trench Power MOSFET
June, 2016 ??Rev. 4
Company Logo Img
Microdiode Electronics ...
ST540L Datasheet pdf image
184Kb/2P
TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
Company Logo Img
Semikron International
SEMIX453GD12E4C Datasheet pdf image
375Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM150MLI066T Datasheet pdf image
213Kb/3P
Trench IGBT Modules
SEMIX452GAL126HDS Datasheet pdf image
399Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX604GB176HDS Datasheet pdf image
684Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM200GB176D Datasheet pdf image
706Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKIM609GAR12E4 Datasheet pdf image
345Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM400GB066D Datasheet pdf image
861Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKM600GB066D Datasheet pdf image
936Kb/6P
Trench IGBT Modules

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


<< < 6 7 8 9 10 > >>



Was ist TRENCH


Trench ist eine der Technologien für die Herstellung von elektronischen Komponenten und wird bei der Herstellung von Halbleitergeräten verwendet.

Die Grabentechnologie ist eine Technologie, die entwickelt wurde, um die elektrische Leistung von Halbleitergeräten zu verbessern.

Die Grabentechnologie übernimmt die Struktur von Halbleitergeräten, um die Erzeugung der Gerätewärme und die Leistungsabbau zu verbessern.

Mit der Grabentechnologie kann eine kleine Grube (Graben) in ein Halbleitergerät ausgegraben werden, um die Oberfläche des Geräts zu erhöhen.

Dies verbessert die elektrische Leistung, da der Weg, durch den der Strom fließt, kürzer ist.

Die Grabentechnologie wird hauptsächlich in Hochleistungs-Halbleitergeräten wie MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) eingesetzt.

Diese Halbleitergeräte werden in hochgeschwindigen elektronischen Schaltungen, Leistungsumrechnungsgeräten und Automobilsteuerungsgeräten verwendet.

Die Grabentechnologie spielt eine sehr wichtige Rolle in der modernen elektronischen Komponentenindustrie, da sie die Leistung und Effizienz der Geräte verbessert.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.


Link URL :

Privatsphäre und Datenschutz
ALLDATASHEETDE.COM
War ALLDATASHEET hilfreich?  [ DONATE ] 

Über Alldatasheet   |   Werbung   |   Kontakt   |   Privatsphäre und Datenschutz   |   Linktausch   |   Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com