TRENCH Datasheet(PDF) - NCE25GD120P - Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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Was ist TRENCH

Trench ist eine der Technologien für die Herstellung von elektronischen Komponenten und wird bei der Herstellung von Halbleitergeräten verwendet.

Die Grabentechnologie ist eine Technologie, die entwickelt wurde, um die elektrische Leistung von Halbleitergeräten zu verbessern.

Die Grabentechnologie übernimmt die Struktur von Halbleitergeräten, um die Erzeugung der Gerätewärme und die Leistungsabbau zu verbessern.

Mit der Grabentechnologie kann eine kleine Grube (Graben) in ein Halbleitergerät ausgegraben werden, um die Oberfläche des Geräts zu erhöhen.

Dies verbessert die elektrische Leistung, da der Weg, durch den der Strom fließt, kürzer ist.

Die Grabentechnologie wird hauptsächlich in Hochleistungs-Halbleitergeräten wie MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) eingesetzt.

Diese Halbleitergeräte werden in hochgeschwindigen elektronischen Schaltungen, Leistungsumrechnungsgeräten und Automobilsteuerungsgeräten verwendet.

Die Grabentechnologie spielt eine sehr wichtige Rolle in der modernen elektronischen Komponentenindustrie, da sie die Leistung und Effizienz der Geräte verbessert.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Wuxi NCE Power Semicond...	NCE25GD120P	328Kb/8P	1200V, 25A, Trench NPT IGBT
	NCE25GD135P	328Kb/8P	1350V, 25A, Trench NPT IGBT
	NCE15GD120T	237Kb/8P	1200V, 15A, Trench NPT IGBT
	NCE25G135T	319Kb/7P	1350V, 25A, Trench NPT IGBT
	NCE20G120T	348Kb/8P	1200V, 20A, Trench NPT IGBT
	NCE10G120	296Kb/8P	1200V, 10A, Trench NPT IGBT
	NCE15GD135T	237Kb/8P	1350V, 15A, Trench NPT IGBT
	NCE25G120T	433Kb/8P	1200V, 25A, Trench NPT IGBT
	NCE15G135P	238Kb/7P	1350V, 15A, Trench NPT IGBT
	NCE15G135T	233Kb/7P	1350V, 15A, Trench NPT IGBT
	NCE15GD135P	242Kb/8P	1350V, 15A, Trench NPT IGBT
	NCE20ED135T	319Kb/7P	1350V, 20A, Trench FS IGBT
	NCE15G120P	238Kb/7P	1200V, 15A, Trench NPT IGBT
	NCE15G120T	233Kb/7P	1200V, 15A, Trench NPT IGBT
	NCE15GD120P	242Kb/8P	1200V, 15A, Trench NPT IGBT
	NCE25G120P	324Kb/7P	1200V, 25A, Trench NPT IGBT
	NCE25G135P	324Kb/7P	1350V, 25A, Trench NPT IGBT
	NCE25GD120T	323Kb/8P	1200V, 25A, Trench NPT IGBT
	NCE25GD135T	323Kb/8P	1350V, 25A, Trench NPT IGBT
	NCEP01T11	326Kb/7P	NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET

TRENCH Datenblatt, PDF

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