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TRENCH Datenblatt, PDF

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KEC(Korea Electronics) 		KU054N03D Datasheet pdf image
70Kb/4P		 N-Ch Trench MOSFET
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71Kb/4P		 N-Ch Trench MOSFET
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374Kb/5P		 N-Ch Trench MOSFET
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60Kb/4P		 N-Ch Trench MOSFET
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854Kb/5P		 N-Ch Trench MOSFET
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472Kb/5P		 N-Ch Trench MOSFET
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471Kb/5P		 P-Ch Trench MOSFET
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464Kb/4P		 P-Ch Trench MOSFET
KMB2D0N60SA Datasheet pdf image
471Kb/5P		 N-Ch Trench MOSFET
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70Kb/4P		 N-Ch Trench MOSFET
KMB2D0N60SA Datasheet pdf image
86Kb/5P		 N-Ch Trench MOSFET
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78Kb/4P		 N-Ch Trench MOSFET
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58Kb/4P		 N-Ch Trench MOSFET
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58Kb/4P		 N-Ch Trench MOSFET
KMB054N40DC Datasheet pdf image
822Kb/5P		 N-Ch Trench MOSFET
KMD7D5P40QA Datasheet pdf image
796Kb/4P		 P-Ch Trench MOSFET

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Was ist TRENCH

Trench ist eine der Technologien für die Herstellung von elektronischen Komponenten und wird bei der Herstellung von Halbleitergeräten verwendet.

Die Grabentechnologie ist eine Technologie, die entwickelt wurde, um die elektrische Leistung von Halbleitergeräten zu verbessern.

Die Grabentechnologie übernimmt die Struktur von Halbleitergeräten, um die Erzeugung der Gerätewärme und die Leistungsabbau zu verbessern.

Mit der Grabentechnologie kann eine kleine Grube (Graben) in ein Halbleitergerät ausgegraben werden, um die Oberfläche des Geräts zu erhöhen.

Dies verbessert die elektrische Leistung, da der Weg, durch den der Strom fließt, kürzer ist.

Die Grabentechnologie wird hauptsächlich in Hochleistungs-Halbleitergeräten wie MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) eingesetzt.

Diese Halbleitergeräte werden in hochgeschwindigen elektronischen Schaltungen, Leistungsumrechnungsgeräten und Automobilsteuerungsgeräten verwendet.

Die Grabentechnologie spielt eine sehr wichtige Rolle in der modernen elektronischen Komponentenindustrie, da sie die Leistung und Effizienz der Geräte verbessert.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.


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