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TRENCH Datenblatt, PDF

Gesuchtes Schlüsselwort : 'TRENCH' - Total: 3 (1/1) Pages
HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
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ACE Technology Co., LTD...
ACE6602B Datasheet pdf image
874Kb/6P
N-Channel Super Trench Power MOSFET
VER 1.1
ACE1060B Datasheet pdf image
899Kb/6P
N-Channel Super Trench Power MOSFET
VER 1.2
ACE632 Datasheet pdf image
1Mb/11P
The ACE632 is the N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.
VER 1.3

1


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Was ist TRENCH


Trench ist eine der Technologien für die Herstellung von elektronischen Komponenten und wird bei der Herstellung von Halbleitergeräten verwendet.

Die Grabentechnologie ist eine Technologie, die entwickelt wurde, um die elektrische Leistung von Halbleitergeräten zu verbessern.

Die Grabentechnologie übernimmt die Struktur von Halbleitergeräten, um die Erzeugung der Gerätewärme und die Leistungsabbau zu verbessern.

Mit der Grabentechnologie kann eine kleine Grube (Graben) in ein Halbleitergerät ausgegraben werden, um die Oberfläche des Geräts zu erhöhen.

Dies verbessert die elektrische Leistung, da der Weg, durch den der Strom fließt, kürzer ist.

Die Grabentechnologie wird hauptsächlich in Hochleistungs-Halbleitergeräten wie MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) eingesetzt.

Diese Halbleitergeräte werden in hochgeschwindigen elektronischen Schaltungen, Leistungsumrechnungsgeräten und Automobilsteuerungsgeräten verwendet.

Die Grabentechnologie spielt eine sehr wichtige Rolle in der modernen elektronischen Komponentenindustrie, da sie die Leistung und Effizienz der Geräte verbessert.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.


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