TRENCH Datasheet(PDF) - FGL60N100BNTD - Fairchild Semiconductor

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Was ist TRENCH

Trench ist eine der Technologien für die Herstellung von elektronischen Komponenten und wird bei der Herstellung von Halbleitergeräten verwendet.

Die Grabentechnologie ist eine Technologie, die entwickelt wurde, um die elektrische Leistung von Halbleitergeräten zu verbessern.

Die Grabentechnologie übernimmt die Struktur von Halbleitergeräten, um die Erzeugung der Gerätewärme und die Leistungsabbau zu verbessern.

Mit der Grabentechnologie kann eine kleine Grube (Graben) in ein Halbleitergerät ausgegraben werden, um die Oberfläche des Geräts zu erhöhen.

Dies verbessert die elektrische Leistung, da der Weg, durch den der Strom fließt, kürzer ist.

Die Grabentechnologie wird hauptsächlich in Hochleistungs-Halbleitergeräten wie MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) eingesetzt.

Diese Halbleitergeräte werden in hochgeschwindigen elektronischen Schaltungen, Leistungsumrechnungsgeräten und Automobilsteuerungsgeräten verwendet.

Die Grabentechnologie spielt eine sehr wichtige Rolle in der modernen elektronischen Komponentenindustrie, da sie die Leistung und Effizienz der Geräte verbessert.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Fairchild Semiconductor	FGL60N100BNTD	682Kb/7P	NPT-Trench IGBT
	FGA25N120ANTD	658Kb/9P	1200V NPT Trench IGBT
	FGA20N120FTD	721Kb/9P	1200V, 20A Trench IGBT
	FGA15N120ANTD	2Mb/10P	1200V NPT Trench IGBT
	FGA15N120ANTD	843Kb/9P	1200V NPT Trench IGBT
	FGH30N120FTDTU	588Kb/9P	Field stop trench technology
	FGA15N120ANTD	938Kb/10P	1200V NPT Trench IGBT
	FGL35N120FTD	732Kb/9P	1200V, 35A Trench IGBT
	FGA25N12ANTD	861Kb/9P	1200V NPT Trench IGBT
	FGA25N120ANTD	867Kb/9P	1200V NPT Trench IGBT
	FGA30N120FTD	614Kb/9P	1200V, 30A Trench IGBT
	FDT86244	239Kb/6P	N-Channel Power Trench MOSFET
	FGD4536TM	1Mb/8P	360 V PDP Trench IGBT
	FGA180N33ATD	655Kb/9P	330 V PDP Trench IGBT
	FDD16AN08_F085	2Mb/11P	N-Channel UltraFET짰 Trench MOSFET
	FDMC2674	334Kb/6P	N-Channel UltraFET Trench MOSFET
	FGA180N33ATTU	695Kb/8P	330V, 180A PDP Trench IGBT
	FGA90N33ATDTU	517Kb/9P	330V, 90A PDP Trench IGBT
	FGPF30N45T	538Kb/7P	450V, 30A PDP Trench IGBT
	FGA90N33AT	655Kb/8P	330V, 90A PDP Trench IGBT

TRENCH Datenblatt, PDF

Was ist TRENCH

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