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TRENCH Datenblatt, PDF

Gesuchtes Schlüsselwort : 'TRENCH' - Total: 78 (1/4) Pages
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IXYS Corporation
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Trench IGBT
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Trench Power MOSFET
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Trench Power MOSFET
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Trench Power MOSFET
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Trench Power MOSFET
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Trench Power MOSFET
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Trench Power MOSFET
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Trench Gate Power MOSFET
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Six-Pack Trench IGBT
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Trench XPT IGBT Chip
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Trench Gate Power MOSFET
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Trench XPT IGBT Chip
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H-Bridge Trench IGBT
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Six-Pack Trench IGBT
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Trench Gate High Speed
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Trench Gate Power HiperFET
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Trench HiperFET Power MOSFET
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Trench Power MOSFET ISOPLUS220
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Six-Pack Trench IGBT
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Six-Pack Trench IGBT

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Was ist TRENCH


Trench ist eine der Technologien für die Herstellung von elektronischen Komponenten und wird bei der Herstellung von Halbleitergeräten verwendet.

Die Grabentechnologie ist eine Technologie, die entwickelt wurde, um die elektrische Leistung von Halbleitergeräten zu verbessern.

Die Grabentechnologie übernimmt die Struktur von Halbleitergeräten, um die Erzeugung der Gerätewärme und die Leistungsabbau zu verbessern.

Mit der Grabentechnologie kann eine kleine Grube (Graben) in ein Halbleitergerät ausgegraben werden, um die Oberfläche des Geräts zu erhöhen.

Dies verbessert die elektrische Leistung, da der Weg, durch den der Strom fließt, kürzer ist.

Die Grabentechnologie wird hauptsächlich in Hochleistungs-Halbleitergeräten wie MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) eingesetzt.

Diese Halbleitergeräte werden in hochgeschwindigen elektronischen Schaltungen, Leistungsumrechnungsgeräten und Automobilsteuerungsgeräten verwendet.

Die Grabentechnologie spielt eine sehr wichtige Rolle in der modernen elektronischen Komponentenindustrie, da sie die Leistung und Effizienz der Geräte verbessert.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.


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