TRENCH Datasheet(PDF) - UG25N120 - Unisonic Technologies

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TRENCH Datenblatt, PDF

Gesuchtes Schlüsselwort : 'TRENCH' - Total: 23 (1/2) Pages

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Unisonic Technologies	UG25N120	144Kb/4P	1200V NPT TRENCH IGBT
	UTN6266	272Kb/7P	N-CHANNEL TRENCH MOSFET
	TGBR20L60C	131Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY
	TGBR5L45	129Kb/3P	TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR10V200	132Kb/3P	TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR20L45	132Kb/3P	TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR10V100	132Kb/3P	TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR10V150	132Kb/3P	TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	UTC606P-H	169Kb/3P	P-CHANNEL 1.8V TRENCH MOSFET
	TGBR30L100	244Kb/3P	TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR20V150C	132Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR40V45C	132Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR10L45C	161Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR30L45C	153Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR30U100C	132Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR20S100C	131Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR20S60C	132Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR20V50C	144Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR20V100C	157Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
	TGBR10U100C	131Kb/3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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Was ist TRENCH

Trench ist eine der Technologien für die Herstellung von elektronischen Komponenten und wird bei der Herstellung von Halbleitergeräten verwendet.

Die Grabentechnologie ist eine Technologie, die entwickelt wurde, um die elektrische Leistung von Halbleitergeräten zu verbessern.

Die Grabentechnologie übernimmt die Struktur von Halbleitergeräten, um die Erzeugung der Gerätewärme und die Leistungsabbau zu verbessern.

Mit der Grabentechnologie kann eine kleine Grube (Graben) in ein Halbleitergerät ausgegraben werden, um die Oberfläche des Geräts zu erhöhen.

Dies verbessert die elektrische Leistung, da der Weg, durch den der Strom fließt, kürzer ist.

Die Grabentechnologie wird hauptsächlich in Hochleistungs-Halbleitergeräten wie MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) eingesetzt.

Diese Halbleitergeräte werden in hochgeschwindigen elektronischen Schaltungen, Leistungsumrechnungsgeräten und Automobilsteuerungsgeräten verwendet.

Die Grabentechnologie spielt eine sehr wichtige Rolle in der modernen elektronischen Komponentenindustrie, da sie die Leistung und Effizienz der Geräte verbessert.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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