SILICON Datasheet(PDF) - TW070J120B - Toshiba Semiconductor

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Was ist SILICON

Silizium ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Atomnummer 14. Es ist ein silbriges, spröde, semi-metallische Element, das das zweithäufigste Element in der Erdkruste nach Sauerstoff ist.

Silizium ist ein wichtiger Bestandteil vieler Mineralien, einschließlich Quarz und Feldspat, und wird häufig bei der Herstellung einer Vielzahl von Produkten verwendet, darunter Glas, Keramik und elektronische Komponenten.

Eine der wichtigsten Verwendung von Silizium ist in der Elektronikindustrie, wo es als Halbleitermaterial bei der Herstellung von Transistoren, Dioden und anderen elektronischen Komponenten verwendet wird.

Die elektrischen Eigenschaften von Silizium machen es gut für die Verwendung dieser Komponenten geeignet, da es den Strom des elektrischen Stroms steuern kann und zum Erzeugen und Erfassen elektrischer Signale verwendet werden kann.

Silizium wird auch bei der Herstellung von Solarzellen verwendet, wo es zum Umwandeln von Licht in elektrische Energie umwandelt wird.

In dieser Anwendung wird Silizium als Photovoltaikmaterial verwendet, das Licht absorbiert und einen elektrischen Strom erzeugt.

Zusätzlich zu seinen elektronischen Anwendungen wird Silizium auch bei der Herstellung einer Vielzahl anderer Produkte verwendet, darunter Silikonkautschuk, Silikonöle und Fettsäuren und Silikonharze.

Diese Produkte werden unter anderem in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter Medizinprodukte, Baumaterialien und Konsumgüter.

Zusammenfassend ist Silizium ein vielseitiges und wichtiges Material, das in vielen Branchen weit verbreitet ist, einschließlich Elektronik, Energie und Bau, unter anderem. Seine einzigartigen Eigenschaften machen es für eine Vielzahl von Anwendungen gut geeignet, und ihre weit verbreitete Verwendung und Bedeutung für die globale Wirtschaft machen es zu einem kritischen Material für die moderne Industrie.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Toshiba Semiconductor	TW070J120B	512Kb/10P	Silicon Carbide N-Channel MOS 2020-08-05 Rev.2.0
	TK8P65W	267Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2014-09-17 Rev.3.0
	TK16V60W	255Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2014-02-25 Rev.2.0
	TK17E65W	254Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2014-02-25 Rev.2.0
	TPN4800CQH	639Kb/9P	MOSFETs Silicon N-channel MOS 2022-09-28 Rev.2.0
	TPN4R303NL	263Kb/9P	MOSFETs Silicon N-channel MOS 2019-10-30 Rev.3.0
	TPN6R003NL	238Kb/9P	MOSFETs Silicon N-channel MOS 2014-02-18 Rev.2.0
	TPN6R303NC	237Kb/9P	MOSFETs Silicon N-channel MOS 2014-02-18 Rev.2.0
	TPW1R005PL	769Kb/10P	MOSFETs Silicon N-channel MOS 2019-10-30 Rev.2.0
	TK1K9A60F	464Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2018-09-25 Rev.3.0
	TK3P80E	382Kb/9P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2014-09-17 Rev.3.0
	TK4K1A60F	462Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2018-09-25 Rev.2.0
	TK6A80E	275Kb/9P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2014-03-04 Rev.3.0
	TK11Q65W	248Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2014-09-30 Rev.1.0
	TK12A80W	409Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2016-02-05 Rev.3.0
	TK12E80W	419Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2016-02-13 Rev.5.0
	TK8Q65W	269Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2014-09-30 Rev.1.0
	TK9A65W	384Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2015-12-25 Rev.4.0
	TK25E60X5	372Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2015-12-23 Rev.2.0
	TK25V60X	232Kb/10P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 2014-05-12 Rev.2.0

SILICON Datenblatt, PDF

Was ist SILICON

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