Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile
  German  ▼
ALLDATASHEETDE.COM

X  



SCHOTTKY Datenblatt, PDF

Gesuchtes Schlüsselwort : 'SCHOTTKY' - Total: 11 (1/1) Pages
HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
Company Logo Img
WeEn Semiconductors
WNS20S100CX Datasheet pdf image
257Kb/11P
Dual power Schottky diode
WNS40100C Datasheet pdf image
1Mb/11P
Dual power Schottky diode
WNS30H100C Datasheet pdf image
1Mb/11P
Dual power Schottky diode
WNS30H100CB Datasheet pdf image
258Kb/11P
Dual power Schottky diode
WNS40H100CB Datasheet pdf image
257Kb/11P
Dual power Schottky diode
WNS20S100C Datasheet pdf image
1Mb/11P
Dual power Schottky diode
WNS20S100CB Datasheet pdf image
306Kb/11P
Dual power Schottky diode
WNS40H100C Datasheet pdf image
1Mb/11P
Dual power Schottky diode
WNS40H100CG Datasheet pdf image
278Kb/11P
Dual power Schottky diode
WNS20H100C Datasheet pdf image
1Mb/11P
Dual power Schottky diode
WNS20H100CB Datasheet pdf image
275Kb/11P
Dual power Schottky diode

1


1



Was ist SCHOTTKY


Schottky ist einer der Begriffe, die in elektronischen Halbleiter -Komponenten verwendet werden.

Schottky bedeutet Schottky Barriere, die an der Kreuzung zwischen einem P-Typ-Halbleiter und einem Metall gebildet wird. Die Eigenschaften einer solchen Verbindung sind hohe Leitfähigkeit, niedrige Sättigungsspannung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedriger Rauschpegel.

Diese Eigenschaften sind sehr nützlich für das Design der elektronischen Komponenten.

Schottky Diode ist daher eine Art Halbleitervorrichtung und wird unter Verwendung einer Schottky -Barriere konstruiert.

Im Vergleich zu anderen Dioden weisen Schottky -Dioden eine höhere Geschwindigkeit und Effizienz, einen niedrigen Spannungsverlust und eine schnelle Reaktion auf.

Schottky-Dioden werden hauptsächlich in Stromwandern, RF-Empfängern und Hochgeschwindigkeitsschaltkreisen verwendet.

Schottky Transistor ist auch ein Halbleitergerät, das bei niedriger Spannung einen hohen Strom liefert und eine Schottky -Barriere verwendet, um die Kreuzung zwischen dem Gate und dem Kanal zu bilden.

Diese Geräte werden in Stromwandern, Hochgeschwindigkeitsschaltschaltungen und HF-Verstärker verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.


Link URL :

Privatsphäre und Datenschutz
ALLDATASHEETDE.COM
War ALLDATASHEET hilfreich?  [ DONATE ] 

Über Alldatasheet   |   Werbung   |   Kontakt   |   Privatsphäre und Datenschutz   |   Linktausch   |   Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com