N-CHANNEL Datasheet(PDF) - LSIC1MO170E0750 - Littelfuse

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N-CHANNEL Datenblatt, PDF

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Gesuchtes Schlüsselwort : 'N-CHANNEL' - Total: 21 (1/2) Pages

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Littelfuse	LSIC1MO170E0750	515Kb/10P	1700 V, 750 mOhm N-Channel SiC MOSFET 12/14/2020
	LGB8206ATI	443Kb/9P	350 V, 20 A N-Channel Ignition IGBT 4/27/2020
	LGD8209TI	323Kb/7P	410 V, 12 A N-Channel Ignition IGBT 2/22/2021
	LGB8204ATH	472Kb/10P	400 V, 18 A N-Channel Ignition IGBT 3/16/2020
	LSIC1MO120G0025	415Kb/10P	1200 V, 25 mOhm N-Channel SiC MOSFET 2/8/2021
	LSIC1MO120G0120	528Kb/10P	1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET 12/16/2020
	LSIC1MO120E0080	898Kb/8P	LSIC1MO120E0080 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET
	LSIC1MO120E0120	915Kb/8P	LSIC1MO120E0120 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET
	LSIC1MO120E0160	943Kb/8P	LSIC1MO120E0160 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET
	460-15-100-SLD	239Kb/2P	Single-Channel Seal-Leak Detector 2016 Rev: 1-A-092916
	201-100-SLD	567Kb/1P	Single-Channel Seal-Leak Detector 2016 Rev: 1-A-062816
	ISS-100	195Kb/1P	Single-Channel Intrinsically Safe Switch 2016 Rev: 1-A-062116
	ISS-102	234Kb/2P	Two-Channel Intrinsically Safe Switch 2016 Rev: 1-A-062116
	ISS-105	284Kb/2P	Five-Channel Intrinsically Safe Switch 2017 Rev: 1-B-050517
	460-15-100-LLS	201Kb/2P	Single-Channel Liquid Level Sensor 2019 Rev: 2-B-043019
	ISS-101	221Kb/2P	Single-channel intrinsically safe switch 2016 Rev: 1-A-062716
	SP3222	959Kb/5P	SP3222 0.9pF 30kV dual channel TVS 2020 Littelfuse, Inc.
	SP5003	627Kb/4P	SP5003 Series 4 Channel Common Mode Filter
	SE-145	2Mb/1P	The SE-145 is a three-channel
	IXTN210P10T	226Kb/7P	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier miniBLOC

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Was ist N-CHANNEL

N-Kanal ist eine Art MOSFET (Metal-Oxid-Sämiener-Feld-Effekt-Transistor), der einen Kanal mit einem N-Typ-Material dotiert hat.

In einem N-Kanal-MOSFET wird der Stromfluss durch einen dünnen Metalloxidfilm gesteuert, der als Tor fungiert, das durch eine dünne Isolierschicht aus dem Rest des Geräts isoliert wird.

Wenn eine positive Spannung auf das Tor angelegt wird, entsteht ein elektrisches Feld, das Elektronen zum Gate anzieht und einen Kanal zwischen Quelle und Abflussanschlüssen bildet.

Mit diesem Kanal kann der Strom zwischen den Quell- und Abflussanschlüssen fließen und die Breite des Kanals wird durch die auf das Gate angelegte Spannung bestimmt.

N-Kanal-MOSFETs werden aufgrund ihrer hohen Eingangsimpedanz, einem niedrigen Widerstand im Zustand, schneller Schaltgeschwindigkeiten und hoher Effizienz häufig in einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Netzteilen, Motorantrieben und Wechselrichtern, verwendet.

N-Kanal-MOSFETs weisen jedoch auch einige Nachteile auf, wie z. Darüber hinaus sind sie anfällig für thermische Ausreißer, was dazu führen kann, dass das Gerät bei Überhitzung fehlschlägt.

Um dieses Risiko zu mildern, werden N-Kanal-MOSFETs häufig in Kombination mit anderen Komponenten verwendet, z. B. Thermalschutzgeräte oder Schaltkreise.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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