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N-CHANNEL Datenblatt, PDF

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Gesuchtes Schlüsselwort : 'N-CHANNEL' - Total: 788 (1/40) Pages
HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
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NXP Semiconductors 		BUK6215-75C Datasheet pdf image
227Kb/14P		 N-channel TrenchMOS FET
Rev. 02-4 October 2010
BUK6211-75C Datasheet pdf image
219Kb/15P		 N-channel TrenchMOS FET
Rev. 02-28 September 2010
2N7002KA Datasheet pdf image
94Kb/11P		 N-channel TrenchMOS FET
Rev. 03-25 February 2008
BUK663R5-55C Datasheet pdf image
138Kb/11P		 N-channel TrenchMOS FET
Rev. 01-3 August 2010
BUK6507-75C Datasheet pdf image
185Kb/14P		 N-channel TrenchMOS FET
Rev. 02-4 October 2010
BF862 Datasheet pdf image
87Kb/12P		 N-channel junction FET
2000 Jan 05
BUK9606-55B Datasheet pdf image
193Kb/13P		 N-channel TrenchMOS FET
Rev. 04-23 July 2009
BUK9506-55B Datasheet pdf image
195Kb/13P		 N-channel TrenchMOS FET
Rev. 04-23 July 2009
PHP20NQ20T-127 Datasheet pdf image
111Kb/9P		 N-channel TrenchMOS횚 transistor
August 1999 Rev 1.000
BUK9E06-55B Datasheet pdf image
194Kb/13P		 N-channel TrenchMOS FET
Rev. 04-22 July 2009
PHD77NQ03T Datasheet pdf image
107Kb/13P		 N-channel TrenchMOS FET
Rev. 01-28 November 2006
PHN210T Datasheet pdf image
94Kb/7P		 Dual N-channel enhancement mode
March 1999 Rev 1.000
BF1107 Datasheet pdf image
60Kb/8P		 N-channel single gate MOSFET
Rev. 04-9 January 2007
BF1217WR Datasheet pdf image
185Kb/17P		 N-channel dual gate MOSFET
Rev. 2 - 20 June 2011
BF991 Datasheet pdf image
226Kb/7P		 N-channel dual-gate MOS-FET
Rev. 03-20 November 2007
BF1214 Datasheet pdf image
211Kb/18P		 Dual N-channel dual gate MOSFET
Rev. 01-30 October 2007
PH20100S Datasheet pdf image
183Kb/12P		 N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 03-2 February 2009
PHB29N08T Datasheet pdf image
189Kb/12P		 N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 03-13 October 2009
PHB32N06LT Datasheet pdf image
376Kb/11P		 N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 02-30 November 2009
PHB47NQ10T Datasheet pdf image
205Kb/13P		 N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 02-25 February 2010

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Was ist N-CHANNEL

N-Kanal ist eine Art MOSFET (Metal-Oxid-Sämiener-Feld-Effekt-Transistor), der einen Kanal mit einem N-Typ-Material dotiert hat.

In einem N-Kanal-MOSFET wird der Stromfluss durch einen dünnen Metalloxidfilm gesteuert, der als Tor fungiert, das durch eine dünne Isolierschicht aus dem Rest des Geräts isoliert wird.

Wenn eine positive Spannung auf das Tor angelegt wird, entsteht ein elektrisches Feld, das Elektronen zum Gate anzieht und einen Kanal zwischen Quelle und Abflussanschlüssen bildet.

Mit diesem Kanal kann der Strom zwischen den Quell- und Abflussanschlüssen fließen und die Breite des Kanals wird durch die auf das Gate angelegte Spannung bestimmt.

N-Kanal-MOSFETs werden aufgrund ihrer hohen Eingangsimpedanz, einem niedrigen Widerstand im Zustand, schneller Schaltgeschwindigkeiten und hoher Effizienz häufig in einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Netzteilen, Motorantrieben und Wechselrichtern, verwendet.

N-Kanal-MOSFETs weisen jedoch auch einige Nachteile auf, wie z. Darüber hinaus sind sie anfällig für thermische Ausreißer, was dazu führen kann, dass das Gerät bei Überhitzung fehlschlägt.

Um dieses Risiko zu mildern, werden N-Kanal-MOSFETs häufig in Kombination mit anderen Komponenten verwendet, z. B. Thermalschutzgeräte oder Schaltkreise.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.


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