JUNCTION Datasheet(PDF) - 13007DL - Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd

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Was ist JUNCTION

Kreuzung in elektronischen Komponenten bedeutet P-N-Übergang.

P-N-Übergänge werden in verschiedenen elektronischen Komponenten verwendet und sind eine der wichtigsten Komponenten von Halbleitergeräten.

Ein P-N-Übergang wird hergestellt, indem ein P-Typ-Halbleiter und einen Halbleiter vom Typ N-Typ angeschlossen werden. Zu diesem Zeitpunkt wird eine PN-Übergang gebildet, wenn sich Elektronen und Löcher in der Nähe der Verbindung des P-Typs-Halbleiters und des N-Semiconductor-Typs kombinieren.

In diesem Prozess wird der Ladungsfluss in der Nähe der P-N-Übergangsübergang behindert, um einen Bereich zu bilden, in dem keine Strom fließt und verschiedene elektronische Komponenten mit diesem Bereich konstruiert werden.

P-N-Junctions spielen eine wichtige Rolle bei Halbleitergeräten.

Es wird in verschiedenen Geräten wie Dioden und Transistoren verwendet und zur Umwandlung, Steuerung und Verarbeitung elektrischer Signale in elektronischen Komponenten verwendet.

Darüber hinaus werden P-N-Übergänge auch in Solarzellen verwendet, die eine wichtige Rolle bei der Umwandlung von Solarenergie in elektrische Energie spielen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Shenzhen Jingdao Electr...	13007DL	121Kb/3P	Bipolar Junction Transistor
Shenzhen Jingdao Electr...	13007T	118Kb/3P	Bipolar Junction Transistor
Microsemi Corporation	APT77N60BC6	150Kb/5P	Super Junction MOSFET
Microsemi Corporation	APT77N60JC3	185Kb/5P	Super Junction MOSFET
EIC discrete Semiconduc...	FE3A	103Kb/2P	GLASS PASSIVATED JUNCTION
Glenair, Inc.	140-103	342Kb/2P	Large Junction Box
StarHope	PKN-AB	255Kb/2P	Glass passiated junction
StarHope	PKG-AB	253Kb/2P	Glass passiated junction
M/A-COM Technology Solu...	H-183-4	104Kb/2P	Microwave Hybrid Junction
M/A-COM Technology Solu...	HH-128-PIN	63Kb/2P	Flatpack Hybrid Junction
Microsemi Corporation	APT47N60BC3G	218Kb/5P	Super Junction MOSFET
EIC discrete Semiconduc...	GN2A	48Kb/2P	GLASS PASSIVATED JUNCTION
EIC discrete Semiconduc...	GR3A	67Kb/2P	GLASS PASSIVATED JUNCTION
Microsemi Corporation	APT30N60SC6	157Kb/5P	Super Junction MOSFET Rev A 8-2010
Japan Aviation Electron...	DE-C8-J9-F1-1R	111Kb/1P	DSUB JUNCTION SHELL
StarHope	PKM-AB	257Kb/2P	Glass passiated junction
Leshan Radio Company	FR107G	353Kb/3P	Glass Passivated Junction
	FR157G	205Kb/3P	Glass Passivated Junction
	HER103G	202Kb/7P	Glass Passivated Junction
	HER105G	202Kb/7P	Glass Passivated Junction

JUNCTION Datenblatt, PDF

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