JUNCTION Datasheet(PDF) - GPP20A - Vishay Siliconix

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JUNCTION Datenblatt, PDF

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Gesuchtes Schlüsselwort : 'JUNCTION' - Total: 136 (1/7) Pages

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	GPP20A	19Kb/2P	Glass Passivated Junction Rectifiers 15-Mar-02
	SB2D	95Kb/4P	Glass passivated chip junction Revision: 03-Nov-11
	UH1B-M3	82Kb/4P	Oxide planar chip junction Revision: 23-Oct-13
	GP10A	30Kb/2P	Glass Passivated Junction Rectifiers 5-Mar-02
	GPP15A	77Kb/4P	Glass passivated chip junction Revision: 14-Jan-11
	GPP10A	66Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 28-Oct-09
	GP15A	76Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 15-Mar-11
	GPP10A	19Kb/2P	Glass Passivated Junction Rectifiers 18-Mar-02
	1N5391GP	77Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 15-Mar-11
	GP10A	77Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 15-Mar-11
	1N5614GP	76Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 15-Mar-11
	GP15J-E3-73	76Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 15-Mar-11
	GPP20A	66Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 03-Nov-09
	1N3611GP	76Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 15-Mar-11
	1N4383GP	76Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 15-Mar-11
	GP20A	80Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 15-Mar-11
	UH3B-M3	89Kb/4P	Oxide planar chip junction Revision: 23-Oct-13
	1N5614GP	105Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 03-Apr-08
	GP08A	76Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 15-Mar-11
	GPP60A	70Kb/4P	Glass Passivated Junction Rectifier Revision: 18-Aug-09

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Was ist JUNCTION

Kreuzung in elektronischen Komponenten bedeutet P-N-Übergang.

P-N-Übergänge werden in verschiedenen elektronischen Komponenten verwendet und sind eine der wichtigsten Komponenten von Halbleitergeräten.

Ein P-N-Übergang wird hergestellt, indem ein P-Typ-Halbleiter und einen Halbleiter vom Typ N-Typ angeschlossen werden. Zu diesem Zeitpunkt wird eine PN-Übergang gebildet, wenn sich Elektronen und Löcher in der Nähe der Verbindung des P-Typs-Halbleiters und des N-Semiconductor-Typs kombinieren.

In diesem Prozess wird der Ladungsfluss in der Nähe der P-N-Übergangsübergang behindert, um einen Bereich zu bilden, in dem keine Strom fließt und verschiedene elektronische Komponenten mit diesem Bereich konstruiert werden.

P-N-Junctions spielen eine wichtige Rolle bei Halbleitergeräten.

Es wird in verschiedenen Geräten wie Dioden und Transistoren verwendet und zur Umwandlung, Steuerung und Verarbeitung elektrischer Signale in elektronischen Komponenten verwendet.

Darüber hinaus werden P-N-Übergänge auch in Solarzellen verwendet, die eine wichtige Rolle bei der Umwandlung von Solarenergie in elektrische Energie spielen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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