JUNCTION Datasheet(PDF) - CRG09A - Toshiba Semiconductor

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JUNCTION Datenblatt, PDF

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Gesuchtes Schlüsselwort : 'JUNCTION' - Total: 108 (1/6) Pages

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Toshiba Semiconductor	CRG09A	307Kb/7P	Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
	CRG09B	306Kb/7P	Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
	CRG04A	301Kb/7P	Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
	CRG10A	300Kb/7P	Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
	2SK710	188Kb/3P	SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE
	CMG03A	310Kb/7P	Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
	CMG06A	297Kb/7P	Rectifier Diode Silicon Diffused Junction
	CRG11B	307Kb/7P	Rectifier Diode Silicon Diffused Junction 2022-05-23 Rev.1.0
	5Z27	122Kb/2P	SILICON DIFFUSED JUNCTION (POWER SURGE SUPPRESSOR)
	U5ZA53C	87Kb/3P	Silicon Diffused-Junction Type Zener Diode
	U1BC44	133Kb/3P	TOSHIBA RECTIFIER SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE
	2SK3857TK	129Kb/5P	Silicon N Channel Junction Type For ECM
	CMF02A	303Kb/7P	Fast Recovery Diode (FRD) Silicon Diffused Junction
	CMF01A	311Kb/7P	Fast Recovery Diode (FRD) Silicon Diffused Junction
	2SK3376TK	153Kb/7P	Silicon N Channel Junction Type For ECM
	2SK3857TV	148Kb/5P	Silicon N Channel Junction Type For ECM
	U5ZA48C	114Kb/3P	TOSHIBA Zener Diode Silicon Diffused-Junction Type
	U5ZA40C	100Kb/4P	TOSHIBA Zener Diode Silicon Diffused-Junction Type
	CRF03A	293Kb/7P	Fast Recovery Diode (FRD) Silicon Diffused Junction
	2SK625	52Kb/1P	Silicon N-channel junction field effect transistor

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Was ist JUNCTION

Kreuzung in elektronischen Komponenten bedeutet P-N-Übergang.

P-N-Übergänge werden in verschiedenen elektronischen Komponenten verwendet und sind eine der wichtigsten Komponenten von Halbleitergeräten.

Ein P-N-Übergang wird hergestellt, indem ein P-Typ-Halbleiter und einen Halbleiter vom Typ N-Typ angeschlossen werden. Zu diesem Zeitpunkt wird eine PN-Übergang gebildet, wenn sich Elektronen und Löcher in der Nähe der Verbindung des P-Typs-Halbleiters und des N-Semiconductor-Typs kombinieren.

In diesem Prozess wird der Ladungsfluss in der Nähe der P-N-Übergangsübergang behindert, um einen Bereich zu bilden, in dem keine Strom fließt und verschiedene elektronische Komponenten mit diesem Bereich konstruiert werden.

P-N-Junctions spielen eine wichtige Rolle bei Halbleitergeräten.

Es wird in verschiedenen Geräten wie Dioden und Transistoren verwendet und zur Umwandlung, Steuerung und Verarbeitung elektrischer Signale in elektronischen Komponenten verwendet.

Darüber hinaus werden P-N-Übergänge auch in Solarzellen verwendet, die eine wichtige Rolle bei der Umwandlung von Solarenergie in elektrische Energie spielen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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