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IGBT Datenblatt, PDF

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Gesuchtes Schlüsselwort : 'IGBT' - Total: 58 (1/3) Pages
HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
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Intersil Corporation 		HGTG20N120E2 Datasheet pdf image
167Kb/5P		 34A, 1200V N-Channel IGBT
April 1995
HGTG24N60D1 Datasheet pdf image
32Kb/4P		 24A, 600V N-Channel IGBT
May 1995
HGTG34N100E2 Datasheet pdf image
38Kb/5P		 34A, 1000V N-Channel IGBT
April 1995
HGTP12N60D1 Datasheet pdf image
31Kb/4P		 12A, 600V N-Channel IGBT
April 1995
HGTG20N100D2 Datasheet pdf image
36Kb/5P		 20A, 1000V N-Channel IGBT
May 1995
HGTA32N60E2 Datasheet pdf image
31Kb/4P		 32A, 600V N-Channel IGBT
April 1995
HGTG30N120D2 Datasheet pdf image
40Kb/5P		 30A, 1200V N-Channel IGBT
April 1995
HGTG32N60E2 Datasheet pdf image
33Kb/4P		 32A, 600V N-Channel IGBT
April 1995
HGTG30N60A4 Datasheet pdf image
92Kb/8P		 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTD3N60A4S Datasheet pdf image
156Kb/10P		 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTD7N60A4S Datasheet pdf image
168Kb/11P		 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
June 2000
HGTG40N60A4 Datasheet pdf image
93Kb/8P		 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
April 2000
HGTP12N60A4 Datasheet pdf image
115Kb/10P		 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
May 1999
HGTD1N120BNS Datasheet pdf image
71Kb/7P		 5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTG11N120CN Datasheet pdf image
81Kb/7P		 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTG20N120CN Datasheet pdf image
83Kb/7P		 63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTP5N120CN Datasheet pdf image
80Kb/7P		 25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTG18N120BN Datasheet pdf image
84Kb/7P		 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTG30N60B3 Datasheet pdf image
105Kb/7P		 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTG40N60C3 Datasheet pdf image
79Kb/7P		 75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
January 2000

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Was ist IGBT

Ein bipolarer Transistor (IGBT) isoliertes Gate ist eine Art von Strom-Halbleitervorrichtung, die zur Steuerung von Hochspannungsanwendungen, Hochstromanwendungen, wie z. Es kombiniert die schnelle Schaltgeschwindigkeit eines bipolaren Junction-Transistors (BJT) mit dem spannungsgesteuerten Gate eines Metalloxid-Sämischen-Feldwirtschaftstransistors (MOSFET).

Die IGBT verwendet ein MOSFET als Eingangsstufe und einen bipolaren Übergangstransistor als Ausgangsstufe.

Das Tor des MOSFET ist aus dem Rest des Geräts isoliert, was einen Hochspannungsbetrieb und eine verbesserte Zuverlässigkeit ermöglicht.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.


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