Ein bipolarer Transistor (IGBT) isoliertes Gate ist eine Art von Strom-Halbleitervorrichtung, die zur Steuerung von Hochspannungsanwendungen, Hochstromanwendungen, wie z. Es kombiniert die schnelle Schaltgeschwindigkeit eines bipolaren Junction-Transistors (BJT) mit dem spannungsgesteuerten Gate eines Metalloxid-Sämischen-Feldwirtschaftstransistors (MOSFET).
Die IGBT verwendet ein MOSFET als Eingangsstufe und einen bipolaren Übergangstransistor als Ausgangsstufe.
Das Tor des MOSFET ist aus dem Rest des Geräts isoliert, was einen Hochspannungsbetrieb und eine verbesserte Zuverlässigkeit ermöglicht.
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