FIELD Datasheet(PDF) - NP180N04TUK_15 - Renesas Technology Corp

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Was ist FIELD

Der Begriff Feld kann in vielerlei Hinsicht im Bereich der Elektronik verwendet werden. Im Folgenden werden wir einige der häufig verwendeten Bedeutungen erklären.

Feldeffekttransistor (FET): Feldeffekttransistoren sind eine der wichtigsten Komponenten in elektronischen Komponenten. Die elektrischen Eigenschaften werden durch die Gate -Spannung gesteuert und hauptsächlich in verschiedenen Anwendungen wie Verstärker, Schalter und Logikschaltungen verwendet.

Feldarray: Eine Struktur, in der mehrere Elemente gemäß einem vorgegebenen Muster angeordnet sind. Bei der Entwicklung elektronischer Komponenten können diese Anordnungen verwendet werden, um komplexe Systeme zu erstellen, indem verschiedene Sensoren, Geräte oder Elemente kombiniert werden.

Magnetfeld: Im Bereich elektronischer Komponenten spielen Magnetfelder in vielen Geräten wie Magnetsensoren, Lautsprechern und Motoren eine wichtige Rolle. Magnetfelder beeinflussen verschiedene Komponenten, die mit Strom oder Magnetismus arbeiten.

Elektrisches Feld: Im Design elektronischer Komponenten repräsentieren elektrische Felder elektrische Wechselwirkungen und beeinflussen verschiedene Faktoren im Zusammenhang mit der elektrischen Signalübertragung.

Elektromagnetisches Feld: Ein Konzept, das zur Beschreibung der Betriebsprinzipien und Eigenschaften elektronischer Komponenten und elektrischer Geräte verwendet wird. Es besteht aus einer Kombination aus elektrischen und magnetischen Feldern und spielt eine wichtige Rolle in vielen Anwendungen im Zusammenhang mit Funkwellen oder Signalübertragung.

FPGA (feldprogrammierbares Gate-Array): Ein FPGA ist ein programmierbares digitales Logikgerät, ein Halbleitergerät, mit dem Benutzer digitale Schaltkreise nach Bedarf konfigurieren und neu programmieren können.

Daher ist der Begriff Feld ein sehr vielseitiger Begriff, der eine Vielzahl von Konzepten und Anwendungen im Bereich elektronischer Komponenten darstellt. Abhängig vom Kontext können bestimmte Bedeutungen identifiziert werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Renesas Technology Corp	NP180N04TUK	253Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	2SK3353	224Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP60N04VUK	110Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP89N055PUK	112Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP90N04VUK	111Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP160N04TUK	235Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP160N055TUK	112Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP180N04TUJ	220Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP35N04YUG	231Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP90N03VHG	227Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP160N04TUJ	203Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA3753GR	142Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA2811T1L	227Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	N0300N	259Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP90N04VDG	323Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP109N04PUJ	318Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA2353	380Kb/9P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA2354	375Kb/9P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP90N055VDG	337Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA2743T1A	274Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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