FIELD Datasheet(PDF) - 1-2823588-1

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Was ist FIELD

Der Begriff Feld kann in vielerlei Hinsicht im Bereich der Elektronik verwendet werden. Im Folgenden werden wir einige der häufig verwendeten Bedeutungen erklären.

Feldeffekttransistor (FET): Feldeffekttransistoren sind eine der wichtigsten Komponenten in elektronischen Komponenten. Die elektrischen Eigenschaften werden durch die Gate -Spannung gesteuert und hauptsächlich in verschiedenen Anwendungen wie Verstärker, Schalter und Logikschaltungen verwendet.

Feldarray: Eine Struktur, in der mehrere Elemente gemäß einem vorgegebenen Muster angeordnet sind. Bei der Entwicklung elektronischer Komponenten können diese Anordnungen verwendet werden, um komplexe Systeme zu erstellen, indem verschiedene Sensoren, Geräte oder Elemente kombiniert werden.

Magnetfeld: Im Bereich elektronischer Komponenten spielen Magnetfelder in vielen Geräten wie Magnetsensoren, Lautsprechern und Motoren eine wichtige Rolle. Magnetfelder beeinflussen verschiedene Komponenten, die mit Strom oder Magnetismus arbeiten.

Elektrisches Feld: Im Design elektronischer Komponenten repräsentieren elektrische Felder elektrische Wechselwirkungen und beeinflussen verschiedene Faktoren im Zusammenhang mit der elektrischen Signalübertragung.

Elektromagnetisches Feld: Ein Konzept, das zur Beschreibung der Betriebsprinzipien und Eigenschaften elektronischer Komponenten und elektrischer Geräte verwendet wird. Es besteht aus einer Kombination aus elektrischen und magnetischen Feldern und spielt eine wichtige Rolle in vielen Anwendungen im Zusammenhang mit Funkwellen oder Signalübertragung.

FPGA (feldprogrammierbares Gate-Array): Ein FPGA ist ein programmierbares digitales Logikgerät, ein Halbleitergerät, mit dem Benutzer digitale Schaltkreise nach Bedarf konfigurieren und neu programmieren können.

Daher ist der Begriff Feld ein sehr vielseitiger Begriff, der eine Vielzahl von Konzepten und Anwendungen im Bereich elektronischer Komponenten darstellt. Abhängig vom Kontext können bestimmte Bedeutungen identifiziert werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Tyco Electronics	1-2823588-1	2Mb/2P	FIELD INSTALLABLE CONNECTORS
	2061973-1	1Mb/1P	FullPROOF140 MINI FIELD INSTALL KIT
	2061926-1	990Kb/1P	FullFLEX MINI FIELD INSTALL KIT
	2061933-1	1Mb/1P	FullPOWER MINI FIELD INSTALL ASSEMBLY
	2-1374416-4	45Kb/1P	CONNECTOR JACK HOUSING, 39mm, MT-RJ FIELD TERMINATION
	2-1374416-5	45Kb/1P	CONNECTOR JACK HUSING, 39mm, MT-RJ FIELD TERMINATION
	2-1374416-3	45Kb/1P	CONNECTOR JACK HOUSING, 39mm, MT-RJ FIELD TERMINATION
	2-1374416-6	45Kb/1P	CONNECTOR JACK HOUSING, 39mm, MT-RJ FIELD TERMINATION
	MAPLST0810-045CF	136Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
	MAPLST0810-090CF	138Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
	MAPLST1617-030CF	203Kb/5P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 1600 - 1700 MHz, 30W, 28V
	MAPLST1820-060CF	171Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 1800 - 2000 MHz, 60W, 26V
	MAPLST2122-030CF	162Kb/5P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 30W, 28V
	MAPLST0810-090CF-05-2004	138Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
	MAPL-000817-015C00	246Kb/8P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 800-1700 MHz, 15W, 26V
	MAPLST0822-002PP	259Kb/10P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 800-2200 MHz, 2W, 28V
	MAPLST1900-060CF	234Kb/5P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 1890 - 1925 MHz, 60W, 26V
	MAPLST2122-060CF	172Kb/5P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 60W, 28V
	MAPLST0810-030CF-05-2004	137Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V
	MAPLST0810-030CF	137Kb/4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V

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