FET Datasheet(PDF) - CF739 - Siemens Semiconductor Group

Was ist FET

FET steht für Field Effect Transistor und ist eine der elektronischen Komponenten.

FET ist ein Gerät, das den Ausgangsstrom entsprechend der Größe und Richtung der Eingangsspannung steuert.

FETs verbrauchen weniger Leistung und eignen sich für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen.

FETs arbeiten, indem ein elektrisches Signal auf den Kanal angewendet wird, um seine Leitfähigkeit zu steuern.

Es verhält sich anders als herkömmliche bipolare Transistoren.

Ein FET induziert einen Strom im Kanal, indem eine Spannung auf das Halbleiterelement angewendet wird, das den Kanal bildet.

Auf diese Weise verwendet der FET eine kleine Menge Strom, um den Ausgangsstrom zu steuern.

Es gibt verschiedene Arten von FETs wie MOSFET (Metalloxid -Halbleiterfet) und JFET (Junction FET).

MOSFETs sind der häufigste Typ und arbeiten mit elektrisch isolierten Kanälen.

Ein JFET ist eine Struktur, die einen PN -Übergang verwendet, um einen Kanal zu bilden, und ohne Spannung arbeitet.

FETs werden in elektronischen Komponenten ausgiebig verwendet. Die Hauptanwendungen sind Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen, integrierte Schaltkreise, Verstärker, Schaltschaltungen, Filter usw.

FETs spielen eine große Rolle bei der Verbesserung der Leistung elektronischer Geräte, indem sie einen geringeren Stromverbrauch und höhere Geschwindigkeiten anbieten als herkömmliche bipolare Transistoren.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Siemens Semiconductor G...	CF739	138Kb/7P	GaAs FET (N-channel dual-gate GaAs MES FET)
	CF750	51Kb/6P	GaAs MMIC (Biased Dual Gate GaAs FET)
	CLY2	51Kb/7P	GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies up to 3 GHz)
	CLY10	73Kb/7P	GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)
	CLY15	59Kb/7P	GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)
	CLY5	86Kb/8P	GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz)
	CFY35	33Kb/4P	GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters)
	CFY30	46Kb/6P	GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)
	BF543	97Kb/5P	Silicon N Channel MOS FET Triode (For RF stages up to 300 MHz preferably in FM applications)
	CFY25	158Kb/6P	GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)

FET Datenblatt, PDF

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