FET Datasheet(PDF) - BUK95180-100A - NXP Semiconductors

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FET Datenblatt, PDF

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	BUK95180-100A	69Kb/9P	Logic level FET May 2000-Rev 1.100
	PHP101NQ03LT	279Kb/13P	TrenchMOS logic level FET Rev. 02-25 February 2003
	PHP82NQ03LT	274Kb/14P	TrenchMOS??logic level FET Rev. 01-28 March 2002
	BUK7575-100A	139Kb/15P	TrenchMOS standard level FET Rev. 01-24 October 2000
	PHP29N08T	90Kb/13P	TrenchMO standard level FET Rev. 01-29 May 2002
	BUK7207-30B	97Kb/12P	TrenchMOS standard level FET Rev. 02-22 January 2004
	BUK7535-100A	337Kb/15P	TrenchMOS standard level FET Rev. 01-02 February 2001
	PHD14NQ20T	269Kb/14P	TrenchMOS standard level FET Rev. 03-11 March 2002
	BUK98180-100A	296Kb/13P	TrenchMOS??logic level FET Rev. 02-18 May 2001
	SI4884	89Kb/12P	TrenchMOS??logic level FET Rev. 02-12 April 2002
	PHM15NQ20T	283Kb/13P	TrenchMOS standard level FET Rev. 03-11 September 2003
	PHM30NQ10T	275Kb/13P	TrenchMOS standard level FET Rev. 02-11 September 2003
	PI4884	97Kb/12P	TrenchMOS logic level FET Rev. 02-12 April 2002
	BUK764R0-55B	143Kb/15P	TrenchMOS standard level FET Rev. 02-30 September 2002
	PHK4NQ20T	233Kb/12P	TrenchMOS standard level FET Rev. 01-20 January 2003
	BUK7208-40B	97Kb/12P	TrenchMOS standard level FET Rev. 02-22 January 2004
	BUK7277-55A	307Kb/13P	TrenchMOS standard level FET Rev. 01-1 February 2001
	BUK9226-75A	290Kb/13P	TrenchMOS logic level FET Rev. 01-10 October 2000
	BFT46	56Kb/9P	N-channel silicon FET December 1997
	BUK7526-100B	294Kb/15P	TrenchMOS standard level FET Rev. 01-11 April 2003

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Was ist FET

FET steht für Field Effect Transistor und ist eine der elektronischen Komponenten.

FET ist ein Gerät, das den Ausgangsstrom entsprechend der Größe und Richtung der Eingangsspannung steuert.

FETs verbrauchen weniger Leistung und eignen sich für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen.

FETs arbeiten, indem ein elektrisches Signal auf den Kanal angewendet wird, um seine Leitfähigkeit zu steuern.

Es verhält sich anders als herkömmliche bipolare Transistoren.

Ein FET induziert einen Strom im Kanal, indem eine Spannung auf das Halbleiterelement angewendet wird, das den Kanal bildet.

Auf diese Weise verwendet der FET eine kleine Menge Strom, um den Ausgangsstrom zu steuern.

Es gibt verschiedene Arten von FETs wie MOSFET (Metalloxid -Halbleiterfet) und JFET (Junction FET).

MOSFETs sind der häufigste Typ und arbeiten mit elektrisch isolierten Kanälen.

Ein JFET ist eine Struktur, die einen PN -Übergang verwendet, um einen Kanal zu bilden, und ohne Spannung arbeitet.

FETs werden in elektronischen Komponenten ausgiebig verwendet. Die Hauptanwendungen sind Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen, integrierte Schaltkreise, Verstärker, Schaltschaltungen, Filter usw.

FETs spielen eine große Rolle bei der Verbesserung der Leistung elektronischer Geräte, indem sie einen geringeren Stromverbrauch und höhere Geschwindigkeiten anbieten als herkömmliche bipolare Transistoren.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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