EPITAXIAL Datasheet(PDF) - 2SC5010 - California Eastern Labs

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Was ist EPITAXIAL

In elektronischen Komponenten ist 'epitaxial' ein Begriff, der in der Halbleiterherstellungstechnologie verwendet wird, und bezieht sich auf eine Technologie, die eine Halbleiterschicht mit einem kritischen Wachstumsprozess bildet. Diese Technologie wird verwendet, um die Leistung von Halbleitergeräten zu verbessern, insbesondere bei der Herstellung von Halbleitern auf Siliziumbasis.

Epitaxiale Ablagerung ist der Prozess der Ablagerung einer oder mehrerer zusätzlicher Schichten über einem vorhandenen Halbleiterprototyp. Dieser Prozess wird auch als Epitaxie bezeichnet und wird normalerweise unter Verwendung von Methoden wie chemischer Dampfabscheidung (CVD) oder physikalischer Dampfabscheidung (PVD) durchgeführt.

Epitaxiale Ablagerung wird für eine Vielzahl von Zwecken verwendet:

Verbesserte Leistung: Verbessert die Elektronenmobilität und -geschwindigkeit, indem sie eine kristalline Struktur von höherer Qualität bildet als das Basismaterial von Halbleitergeräten.

Doping: Im epitaxialen Prozess können bestimmte Atome oder Ionen dotiert werden, um die gewünschten elektrischen Eigenschaften zu ergeben.

Verbesserte Stabilität: Die epitaxiale Schicht hat die gleiche Gitterstruktur wie der zugrunde liegende Prototyp, was sie stabiler macht als Schichten, die durch andere Techniken gebildet werden.

Geräteintegration: Epitaxiale Prozesse werden verwendet, um mehrere Geräte in einen einzelnen Halbleiterchip zu integrieren, indem mehrere Ebenen abgelagert werden.

Die epitaxiale Ablagerung wird als Schlüsseltechnologie bei der Herstellung von Halbleitern angesehen und spielt eine Schlüsselrolle bei der Verbesserung der Leistung und Effizienz von Halbleitergeräten. Diese Technologie bildet die Grundlage für die Entwicklung einer Vielzahl von Produkten in der Halbleiterindustrie, einschließlich leistungsstarker Mikroprozessoren, Speicherchips und LEDs.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
California Eastern Labs	2SC5010	1Mb/9P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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	2SC5011	537Kb/6P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR
	2SC4227	846Kb/6P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR
	NE202930	571Kb/7P	Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor
	NE856M02	206Kb/8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
	NE58219	1Mb/7P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
	NE85634	216Kb/6P	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

EPITAXIAL Datenblatt, PDF

Was ist EPITAXIAL

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