EPITAXIAL Datasheet(PDF) - BAV100

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Was ist EPITAXIAL

In elektronischen Komponenten ist 'epitaxial' ein Begriff, der in der Halbleiterherstellungstechnologie verwendet wird, und bezieht sich auf eine Technologie, die eine Halbleiterschicht mit einem kritischen Wachstumsprozess bildet. Diese Technologie wird verwendet, um die Leistung von Halbleitergeräten zu verbessern, insbesondere bei der Herstellung von Halbleitern auf Siliziumbasis.

Epitaxiale Ablagerung ist der Prozess der Ablagerung einer oder mehrerer zusätzlicher Schichten über einem vorhandenen Halbleiterprototyp. Dieser Prozess wird auch als Epitaxie bezeichnet und wird normalerweise unter Verwendung von Methoden wie chemischer Dampfabscheidung (CVD) oder physikalischer Dampfabscheidung (PVD) durchgeführt.

Epitaxiale Ablagerung wird für eine Vielzahl von Zwecken verwendet:

Verbesserte Leistung: Verbessert die Elektronenmobilität und -geschwindigkeit, indem sie eine kristalline Struktur von höherer Qualität bildet als das Basismaterial von Halbleitergeräten.

Doping: Im epitaxialen Prozess können bestimmte Atome oder Ionen dotiert werden, um die gewünschten elektrischen Eigenschaften zu ergeben.

Verbesserte Stabilität: Die epitaxiale Schicht hat die gleiche Gitterstruktur wie der zugrunde liegende Prototyp, was sie stabiler macht als Schichten, die durch andere Techniken gebildet werden.

Geräteintegration: Epitaxiale Prozesse werden verwendet, um mehrere Geräte in einen einzelnen Halbleiterchip zu integrieren, indem mehrere Ebenen abgelagert werden.

Die epitaxiale Ablagerung wird als Schlüsseltechnologie bei der Herstellung von Halbleitern angesehen und spielt eine Schlüsselrolle bei der Verbesserung der Leistung und Effizienz von Halbleitergeräten. Diese Technologie bildet die Grundlage für die Entwicklung einer Vielzahl von Produkten in der Halbleiterindustrie, einschließlich leistungsstarker Mikroprozessoren, Speicherchips und LEDs.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	BAV100	54Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diodes Rev. 2, 01-Apr-99
	1N4148	44Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diodes Rev. 2, 01-Apr-99
	LS4150	52Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diode Rev. 3, 01-Apr-99
	MCL4151	55Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diode Rev. 3, 01-Apr-99
	LL4150	94Kb/5P	Silicon Epitaxial Planar Diodes Rev. 1.6, 06-Apr-04
	LL4151	51Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diodes Rev. 3, 01-Apr-99
	LS4151	53Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diode Rev. 3, 01-Apr-99
	MCL4148	59Kb/5P	Silicon Epitaxial Planar Diodes Rev. 3, 01-Apr-99
	1N4151	39Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diode Rev. 2, 01-Apr-99
	BAV200	55Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diodes Rev. 3, 01-Apr-99
	BAW75	34Kb/3P	Silicon Epitaxial Planar Diode Rev. 2, 01-Apr-99
	LL4154	51Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diodes Rev. 3, 01-Apr-99
	MCL4154	55Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diode Rev. 1.8, 07-Mar-06
	1N4150	37Kb/3P	Silicon Epitaxial Planar Diode Rev. 2, 01-Apr-99
	1N4454	46Kb/2P	Silicon Epitaxial Planar Diode 13-May-02
	1N4148WSFL-G	93Kb/5P	Silicon epitaxial planar diode Rev. 1.0, 24-Oct-13
	1N4154	39Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diode Rev. 1.8, 16-Feb-07
	BAS16	53Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diode Rev. 1, 01-Apr-99
	BAV300	61Kb/5P	Silicon Epitaxial Planar Diodes Rev. 2.1, 01-Aug-12
	LS4148	56Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Diodes Rev. 3, 01-Apr-99

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