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EPITAXIAL Datenblatt, PDF

Gesuchtes Schlüsselwort : 'EPITAXIAL' - Total: 239 (1/12) Pages
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Sanyo Semicon Device
15C02CH Datasheet pdf image
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
FX513 Datasheet pdf image
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PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
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NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
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PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
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NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor
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PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
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NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
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NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor
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NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
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PNP / NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
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NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistor
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PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
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PNP /NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
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NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistor
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NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistor
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PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
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PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
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PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
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PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
DCC010-TB-E Datasheet pdf image
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Sillicon Epitaxial Planar Type (Series Connection)

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Was ist EPITAXIAL


In elektronischen Komponenten ist 'epitaxial' ein Begriff, der in der Halbleiterherstellungstechnologie verwendet wird, und bezieht sich auf eine Technologie, die eine Halbleiterschicht mit einem kritischen Wachstumsprozess bildet. Diese Technologie wird verwendet, um die Leistung von Halbleitergeräten zu verbessern, insbesondere bei der Herstellung von Halbleitern auf Siliziumbasis.

Epitaxiale Ablagerung ist der Prozess der Ablagerung einer oder mehrerer zusätzlicher Schichten über einem vorhandenen Halbleiterprototyp. Dieser Prozess wird auch als Epitaxie bezeichnet und wird normalerweise unter Verwendung von Methoden wie chemischer Dampfabscheidung (CVD) oder physikalischer Dampfabscheidung (PVD) durchgeführt.

Epitaxiale Ablagerung wird für eine Vielzahl von Zwecken verwendet:

Verbesserte Leistung: Verbessert die Elektronenmobilität und -geschwindigkeit, indem sie eine kristalline Struktur von höherer Qualität bildet als das Basismaterial von Halbleitergeräten.

Doping: Im epitaxialen Prozess können bestimmte Atome oder Ionen dotiert werden, um die gewünschten elektrischen Eigenschaften zu ergeben.

Verbesserte Stabilität: Die epitaxiale Schicht hat die gleiche Gitterstruktur wie der zugrunde liegende Prototyp, was sie stabiler macht als Schichten, die durch andere Techniken gebildet werden.

Geräteintegration: Epitaxiale Prozesse werden verwendet, um mehrere Geräte in einen einzelnen Halbleiterchip zu integrieren, indem mehrere Ebenen abgelagert werden.

Die epitaxiale Ablagerung wird als Schlüsseltechnologie bei der Herstellung von Halbleitern angesehen und spielt eine Schlüsselrolle bei der Verbesserung der Leistung und Effizienz von Halbleitergeräten. Diese Technologie bildet die Grundlage für die Entwicklung einer Vielzahl von Produkten in der Halbleiterindustrie, einschließlich leistungsstarker Mikroprozessoren, Speicherchips und LEDs.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.


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