EFFECT Datasheet(PDF) - 2SJ492 - Renesas Technology Corp

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Was ist EFFECT

Der Einfluss elektronischer Teile bedeutet physikalische, elektrische und chemische Veränderungen von Teilen, die durch verschiedene Faktoren verursacht werden können.

Beispielsweise können die elektrischen Eigenschaften eines Teils durch Umweltveränderungen beeinflusst werden, oder die physikalischen Eigenschaften eines Teils können sich aufgrund der Verwendung von Bedingungen ändern.

In elektronischen Teilen ist der Effekt einer der wichtigsten Faktoren, um die Zuverlässigkeit von Teilen zu bewerten.

Abhängig von der Umgebung, in der der Teil verwendet wird, kann ein Effekt auftreten, der die Lebensdauer des Teils verkürzen oder in schweren Fällen die Funktion des Teils beschädigen kann.

Daher ist es wichtig, Teile unter Berücksichtigung ihrer Wirkung auszuwählen und zu entwerfen.

Beispielsweise kann der Effekt elektronischer Komponenten durch Umweltfaktoren wie hohe Temperatur, hohe Luftfeuchtigkeit, Vibration, Schock und Strahlung beeinflusst werden.

In diesen Umgebungen verwendete Komponenten müssen gegen die Umgebung resistent sein, und Komponenten mit hoher Zuverlässigkeit müssen ausgewählt und gestaltet werden.

Bei der Auswahl oder Entwerfen elektronischer Komponenten ist es daher wichtig, die Zuverlässigkeit von Komponenten zu sichern, indem Umweltfaktoren wie Effekte berücksichtigt werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Renesas Technology Corp	2SJ492	302Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1998
	2SJ557	228Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1999
	2SJ606	213Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2001
	2SK1109	178Kb/10P	JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 2002
	2SK1123	2Mb/9P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2006
	2SK1133	457Kb/7P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1991
	2SK1581	607Kb/7P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1990
	2SK1584	263Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2001
	2SK1585	662Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1991
	2SK2552C	308Kb/7P	JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 2007
	2SK2070	262Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1996
	2SK2141	243Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1995
	2SK2158A	258Kb/7P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1996
	2SK2341	300Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1995
	2SK2478	245Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1995
	2SK2480	244Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1995
	2SK2482	295Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1996
	2SK2487	271Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1995
	2SK3053	316Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2000
	2SK3054	295Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1999

EFFECT Datenblatt, PDF

Was ist EFFECT

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