D-S Datasheet(PDF) - LP2317DT2AG - Leshan Radio Company

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D-S Datenblatt, PDF

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Gesuchtes Schlüsselwort : 'D-S' - Total: 91 (1/5) Pages

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Leshan Radio Company	LP2317DT2AG	882Kb/5P	20V P-Channel (D-S) MOSFET
	LP0404N3T5G	1Mb/5P	20V, P-Channel (D-S) MOSFET
	LP8207DT1AG	320Kb/5P	20V P-Channel (D-S) MOSFET
	LP8217DT1AG	220Kb/3P	20V P-Channel (D-S) MOSFET
	S-LP2309LT1G	527Kb/6P	P-Channel 60V (D-S) MOSFET
	LN2324DT2AG	1Mb/5P	20V N-Channel (D-S) MOSFET
	LP2309LT1G	703Kb/5P	P-Channel 60V (D-S) MOSFET
	LP8104DT1AG	414Kb/5P	30V P-Channel (D-S) MOSFET
	LN3410DT2AG	791Kb/5P	N-Channel 30V (D-S) MOSFET
	LN8340ADT1AG	688Kb/5P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
	LN8330ADT1AG	950Kb/5P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
	LN8390DT1AG	463Kb/6P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
	S-LN8340DT1AG	1Mb/5P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
	LN8330DT1AG	1Mb/5P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
	LN8260DT1AG	284Kb/5P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
	LN8320DT1AG	350Kb/5P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
	LN8544DT1AG	522Kb/5P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
	S-LN8418DT1AG	260Kb/5P	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
	LN3430DT2AG	1Mb/5P	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
	LP2371LT1G	270Kb/5P	P-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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Was ist D-S

D-S ist einer der in elektronischen Komponenten üblicherweise verwendeten Begriffe.

D-S steht für Drain-Source und wird in Halbleitergeräten wie MOSFET (metalloxid-seemischem Feld-Effekt-Transistor) verwendet.

Ein MOSFET ist eines der repräsentativen Halbleitergeräte und wird verwendet, um den Strom entsprechend der Spannung zu steuern.

Ein MOSFET hat drei Stifte: Tor, Abfluss und Quelle, darunter D-S den Abstand zwischen Abfluss und Quelle.

Die D-S-Distanz ist einer der Faktoren, die einen wichtigen Einfluss auf die MOSFET-Eigenschaften haben.

Wenn diese Entfernung kleiner wird, erhöht sich die Spannungsstärke über das Gerät, was die Geschwindigkeit und Leistung des MOSFET erhöht.

Daher ist der D-S-Abstand einer der wichtigsten Faktoren, die die Leistung von MOSFETs bestimmen.

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